CVD石墨烯膜

利用最先进的化学气相沉积(CVD)方法,Goodfellow顾特服能够生产出适用于透明导体和其它创新应用的、性能优异的高质量石墨烯膜。除了供应如下所示的标准样品之外,Goodfellow顾特服还可以帮助客户将石墨烯薄膜转移到他们自己的基材上。

      

铜箔上的CVD石墨烯

       

产品尺寸

    最大500x600mm2

薄膜形态

    连续单层(>95%)

薄层电阻

    -

移动性

    >3500cm2/Vs

透光率

    > 97%

基底

    铜箔(35 µm厚)

域尺寸

    10-20 µm

   
    

· 拉曼光谱(转移后)

· 铜箔上50x50mm2的石墨烯

· 高分辨率TEM图像

· 铜上的石墨烯SEM图像


SiO2/Si晶片上的超洁净石墨烯

产品尺寸

    最大90x90mm2

薄膜形态

    连续单层(>95%)

薄层电阻

    平均<250~400 Ω/sq

移动性

    >3500cm2/Vs (最大17,000cm2/Vs)

透光率

    > 97%

基底

    SiO2(300nm)/Si晶片(标准)

域尺寸

    10-20 µm


· 10x10mm2 SiO2/Si芯片

· 65x65mm2 SiO2/Si晶片

· 压敏胶膜的超净转移

· 电气特性

PET上的石墨烯

产品尺寸

     最大500x600mm2

薄膜形态

     连续单层(>95%)

薄层电阻

     平均<250~400 Ω/sq

移动性

     >3500cm2/Vs

透光率

     > 97%

基底

     PET(188 µm)(标准)

域尺寸

    10-20 µm


· 薄层电阻均匀性

· 透光率

· 应用于柔性触摸屏的PET石墨烯

· PET石墨烯的力学性能

石英玻璃上的石墨烯

产品尺寸

    最大80x150mm2

薄膜形态

    连续单层(>95%)

薄层电阻

    平均<250~400 Ω/sq

移动性

    >3500cm2/Vs (最大17,000cm2/Vs)

透光率

    > 97%

基底

    玻璃(可变厚度)

域尺寸

    10-30 µm

· 石英玻璃上的50x50mm2 石墨烯

 

· 通过热压将石墨烯转移到刚性基底上

· 低薄层电阻应用的N掺杂石墨烯

原始

EDA掺杂

DETA 掺杂

TETA 掺杂

Dirac电压(Vg)

1.37±2.27

-126.64±6.06

-166.37±1.78

-192.27±6.49

载流子浓度(1013)

0.01±0.016

-0.912±0.043

-1.198±0.013

-1.384±0.047

移动性(h)[cm2/Vs]

6219±1288

移动性(e)[cm2/Vs]

3809±876

3711±913

3388±531

2817±475

薄层电阻(Ohm/sq)

925±170

130±12

124±28

98±12

如需更多应用信息和建议,请与我们的技术人员讨论。

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