创新研究的2维晶体

目前提供的2维晶体
二硫化钼，MoS₂

二硫化钼是具有1.3eV的间接带隙的过渡金属硫族化合物。其较大的带隙使其很成为电子和光电工程应用的理想材料。

二硒化钼，MoSe₂

二硒化钼也是过渡金属硫族化合物。MoSe₂是间接半导体，随着层厚度减小到原子限度，具有到直接带隙的热驱动交叉。

六方氮化硼，hBN

六方氮化硼是具有5eV尺寸大带隙的绝缘层状材料。hBN可以用作具有高质量的原子薄电介质，以及用于电浆子器件的平台。

二硫化钨，WS₂

二硫化钨是带隙约为1.6eV的间接半导体。在单层状态下，带隙变为尺寸为2.1eV的直接带隙，因此显示出强光致发光。 WS₂由于其高电子迁移率而应用于电子产品中。

二硒化钨，WSe₂

二硒化钨在红外区域具有带隙，因此，它被用于需要锐化和高质量光学性能的应用场合。

碲化钨，WTe₂

二碲化钨由于其相对大的非饱和磁阻而得到广泛地研究，见诸于《Nature》等文献期刊。

黑磷（磷烯）

黑色磷烯是在石墨烯之后被广泛分离和表征的第二种2维材料。由于其达到1000cm²/Vs的高迁移率，它在电子工业中具有潜在的应用前景。

硒化镓，GaSe

硒化镓是带隙大约为2eV的半导体。 GaSe具有强光致发光的直接带隙，可用于光电器件。

Graphenium石墨

石墨烯是在2004年使用graphenium石墨生产的，graphenium是一种特殊的HOPG型石墨，薄片尺寸达到1厘米以上。

硫化砷，As₂S₃

硫化砷是一种半导体，具有超出预期的性能和尺寸，约2.5eV的预期带隙。

支持和建议

Goodfellow（顾特服）可以通过剥离2维晶体和将2维晶体沉积到氧化的硅衬底上来给予支持。所有样品在氧化的硅衬底上提供，并且具有(x，y)坐标系，以及不同放大倍数的显微图像，以便帮助鉴别薄片。所有薄片具有10 μ m²的最小面积和单层厚度。

如需更多信息，请致电 021-6112 1560或电子邮件 china@goodfellow.com。